NAND01GW3B2AN6 集成电路（IC）存储器 STMICROELECTRONICS/意法半导体

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1+	面议

厂家型号：
NAND01GW3B2AN6
产品分类：
集成电路（IC） > 存储器
生产厂商：
ST
库存数量：
10000
产品封装：
TSOP48
生产批号：
21+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-5-20 16:42:00

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详细信息
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原厂料号：NAND01GW3B2AN6品牌：ST

原装现货假一罚十

NAND01GW3B2AN6是集成电路（IC） > 存储器。制造商ST/STMicroelectronics生产封装TSOP48/48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）的NAND01GW3B2AN6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

芯片型号：
NAND01GW3B2AN6
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体集团
内容页数：
64 页
文件大小：
631.49 kb
资料说明：
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

产品属性

类型
描述
产品编号：
NAND01GW3B2AN6F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
30ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供应商

企业：
京海半导体(深圳)有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
熊小姐★★原厂授权一级分销★★
询价：
电话：
13424293273
地址：
深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海大厦C栋706

NAND01GW3B2AN6 集成电路（IC）存储器 STMICROELECTRONICS/意法半导体

NAND01GW3B2AN6

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