NAND01GW3B集成电路（IC）存储器规格书STMICROELECTRONICS中文资料PDF-114ic电子网

NAND01GW3B集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	NAND01GW3B
参数属性	NAND01GW3B 封装/外壳为48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
功能描述	1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
文件大小	631.49 Kbytes
页面数量	64 页
生产厂商	STMicroelectronics
企业简称	STMICROELECTRONICS【意法半导体】
中文名称	意法半导体（ST）集团官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载
更新时间	2024-5-24 22:30:00

NAND01GW3B规格书详情

NAND01GW3B属于集成电路（IC） > 存储器。意法半导体（ST）集团制造生产的NAND01GW3B存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
NAND01GW3B2AN6F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
闪存 - NAND
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
30ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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