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NAND01GW3A2BE06

Known Good Die, 1 Gbit (x 8/x 16), 528 Byte/264 word page, 3 V, NAND Flash memory

文件:1.17129 Mbytes 页数:48 Pages

NUMONYX

NAND01GW3B2BN6E

ST
TSOP48

ST

NAND256W3A2BN6E

ST
TSOP

ST

NAND512W3A2SZ

MICRON
BGA

NANO100KD2BN

NUVOTON新唐
LQFP128

NUVOTON新唐

详细参数

  • 型号:

    NAND01GW3A2BE06

  • 功能描述:

    闪存 Known GD Die 1Gbit

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

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更多NAND01GW3A2BE06供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00