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NAND01GR3B2CZA6集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

NAND01GR3B2CZA6

参数属性

NAND01GR3B2CZA6 封装/外壳为63-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

封装外壳

63-TFBGA

文件大小

631.49 Kbytes

页面数量

64

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NAND01GR3B2CZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-VFBGA(9.5x12)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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