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NAND01GR3B2CZA6集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NAND01GR3B2CZA6 |
参数属性 | NAND01GR3B2CZA6 封装/外壳为63-TFBGA;包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
功能描述 | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
封装外壳 | 63-TFBGA |
文件大小 |
631.49 Kbytes |
页面数量 |
64 页 |
生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
中文名称 | 意法半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-10 23:00:00 |
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更多产品属性
- 产品编号:
NAND01GR3B2CZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9.5x12)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
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