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N28F010-150	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY Intel’s 28F010 CMOS flash memory offers the most cost-effective and reliable alternative for read/write random access nonvolatile memory. The 28F010 adds electrical chip-erasure and reprogramming to familiar EPROM technology. Memory contents can be rewrit 文件：405.78 Kbytes 页数：30 Pages	INTEL 英特尔	INTEL
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N28F010-90	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY Intel’s 28F010 CMOS flash memory offers the most cost-effective and reliable alternative for read/write random access nonvolatile memory. The 28F010 adds electrical chip-erasure and reprogramming to familiar EPROM technology. Memory contents can be rewrit 文件：405.78 Kbytes 页数：30 Pages	INTEL 英特尔	INTEL
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