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N25Q512A13G1240中文资料Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase数据手册Micron规格书

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厂商型号

N25Q512A13G1240

参数属性

N25Q512A13G1240 封装/外壳为24-TBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA

功能描述

Micron Serial NOR Flash Memory 3V, Multiple I/O, 4KB Sector Erase

封装外壳

24-TBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名称

美光 美光科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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技术参数

  • 产品编号:

    N25Q512A13G1240F TR

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    512Mb(128M x 4)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 写周期时间 - 字,页:

    8ms,5ms

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-TBGA

  • 供应商器件封装:

    24-T-PBGA(6x8)

  • 描述:

    IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MRON/美光
24+
NA/
520
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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micron(镁光)
24+
标准封装
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