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N25Q128A13BSF40G	文件：5.63587 Mbytes Page：180 Pages	128-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors,XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface 文件：5.63587 Mbytes 页数：180 Pages	NUMONYX	NUMONYX
N25Q128A13BSFA0E	文件：5.63587 Mbytes Page：180 Pages	128-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors,XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface 文件：5.63587 Mbytes 页数：180 Pages	NUMONYX	NUMONYX
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N25Q128A13BSFH0E	文件：5.63587 Mbytes Page：180 Pages	128-Mbit 3 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors,XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface 文件：5.63587 Mbytes 页数：180 Pages	NUMONYX	NUMONYX
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N25Q128A13B1240F TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-TBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
N25Q128A13B1241F TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-TBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
N25Q128A13BF840E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT SPI 8VDFPN	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.

详细参数

型号：
N25Q128A13B
功能描述：
IC SRL FLASH 128MB NMX 16-SOIC
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
Forté™
标准包装：
72
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步
存储容量：
4.5M（256K x 18）
速度：
133MHz
接口：
并联
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x20）
包装：
托盘

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多N25Q128A13B供应商更新时间2025-10-31 9:38:00

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