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N2500N-T2B-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The N2500N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for DC-DC converter and 2.5 V drive switching applications. FEATURES • 2.5 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 5.8 Ω MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 0.25 A) RDS(on)2 = 6.6 Ω MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 0.25

文件:282.28 Kbytes 页数:8 Pages

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详细参数

  • 型号:

    N2500N-T2B-AT

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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