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N08L6182AB27I

8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 횞 16bit

文件:192.72 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N08L6182AB27IT

8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 횞 16bit

文件:192.72 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N08L6182AB27I

Package:48-LFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48BGA

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    N08L6182AB27I

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    8Mb(512K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    1.65V ~ 2.2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-LFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-BGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48BGA

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更多N08L6182AB27I供应商 更新时间2025-12-13 16:30:00