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N0609N-S19-AY

N-channel MOSFET 60 V, 120 A, 3.0 mΩ

Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=3.0mΩmax.(VGS=10V,ID=60A) •LowCiss:Ciss=11300pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±120A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
WESTCODE
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
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更多N0609N-S19-AY供应商 更新时间2025-5-16 19:01:00