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N0606N-S19-AY	文件：806.76 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±60A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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N0606N-S19-AY

文件：806.76 Kbytes

Page：7 Pages

N-channel MOSFET

Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) •LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±60A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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深圳市科雨电子有限公司	N0606YS24	WESTCODE/西码	18+	MODULE	225	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多N0606N-S19-AY供应商更新时间2025-5-12 19:39:00

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