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N0605N-S19-AY	文件：676.81 Kbytes Page：7 Pages	N-channel MOSFET 60 V, 80 A, 8.5 mΩ Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mΩmax.(VGS=10V,ID=40A) •LowCiss:Ciss=3300pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±80A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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N0605N-S19-AY

文件：676.81 Kbytes

Page：7 Pages

N-channel MOSFET 60 V, 80 A, 8.5 mΩ

Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mΩmax.(VGS=10V,ID=40A) •LowCiss:Ciss=3300pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±80A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching

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更多N0605N-S19-AY供应商更新时间2025-5-21 17:31:00

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