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N0604N-S19-AY

N-channel MOSFET Low on-state resistance

Description The N0604N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS (on) = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 4150 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • High curr

文件:148.43 Kbytes 页数:8 Pages

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更多N0604N-S19-AY供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00