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N0600N中文资料PDF规格书

N0600N
厂商型号

N0600N

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

237.64 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-4 22:58:00

N0600N规格书详情

Description

The N0600N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on)1= 25 mΩMAX. (VGS=10 V, ID= 15 A)

⎯ RDS(on)2= 36 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 15 A)

• Low input capacitance

⎯ Ciss= 1380 pF TYP. (VDS= 10 V, VGS= 0 V)

产品属性

  • 型号:

    N0600N

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 60V 30A Tube

  • 功能描述:

    SINGLE MOSFET, NCH, 60V, TO-220 - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

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