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N0435N-S19-AY

文件：580.88 Kbytes

Page：7 Pages

N-channel MOSFET

Features •Lowon-stateresistance:RDS(on)=4.8mΩmax.(VGS=10V,ID=40A) •LowCiss:Ciss=3200pFtyp.(VDS=25V) •Highcurrent:ID(DC)=±80A •RoHSCompliant •QualityGrade:Standard •Applications:Forhighcurrentswitching

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