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N0400P-ZK-E1-AY	文件：309.72 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheN0400PisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentand2.5Vdriveswitchingapplications. Features •2.5Vdriveavailable •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.5A) RDS(on)2=73mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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N0400P-ZK-E1-AY

文件：309.72 Kbytes

Page：10 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheN0400PisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentand2.5Vdriveswitchingapplications. Features •2.5Vdriveavailable •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=40mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.5A) RDS(on)2=73mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
N0400P-ZK-E1
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多N0400P-ZK-E1供应商更新时间2024-9-21 8:40:00

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