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N0300P-T1B-AT	文件：262.7 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheN0300Pisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlyby a4.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchas powerswitc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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文件：262.7 Kbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheN0300Pisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlyby a4.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchas powerswitc

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

N0300P-T1B-AT

文件：484.32 Kbytes

Page：9 Pages

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

N0300P-T1B-AT

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
N0300P-T1B-AT
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
4.5A（Tj）
描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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