| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
15000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK |
20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONTO-252 |
6800 |
最新 |
全新原装公司现货低价 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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ONTO-252 |
15000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-252 |
7500 |
24+ |
只做原装进口假一赔十全部自己现货库存 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美TO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
5000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
12048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
16316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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OnsemiSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT252 |
15500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ON/安森美DPAK4LEADSINGLEG |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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ONTO-252 |
10000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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ON |
133 |
11+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON SemiconductorTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ON/安森美DPAK4LEADSINGLEG |
22500 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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ON(安森美) |
6000 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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ONTO-252 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
NTD4302采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTD4302图片
NTD4302T4G价格
NTD4302T4G价格：￥2.7396品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTD4302T4G多少钱，想知道NTD4302T4G价格是多少？参考价：￥2.7396。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTD4302T4G批发价格及采购报价，NTD4302T4G销售排行榜及行情走势，NTD4302T4G报价。
NTD4302中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD4302功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4302/D功能描述:Power MOSFET 20 Amps， 30 Volts
NTD4302_10制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 68 A, 30 V, Na??Channel DPAK
NTD4302-001功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4302-1制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N-Channel DPAK)
NTD4302-1G功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4302G功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4302T4功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTD4302T4G功能描述:MOSFET 30V 68A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
