| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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Numonyx/STMi63-VFBGA |
65480 |
23+ |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ST/STMicroelectronics/意法半导BGA |
123 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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NumonyxNA |
30000 |
22+ |
100%全新原装 假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STBGA |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ST/意法BGA |
9852 |
21+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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MicronTechnologyInc.63-VFBGA(9x11) |
26580 |
19+ |
存储IC一手货源,极具优势! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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STBGA |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Micron Technology Inc.6-WFBGA,CSPBGA |
5280 |
21+ |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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STBGA |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Micron63VFBGA (9x11) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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ST/意法BGA |
12000 |
原装现货,长期供应,终端账期支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ST |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STBGA |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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STBGA |
25000 |
20+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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STBGA |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Micron63VFBGA (9x11) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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Micron Technology Inc.63-VFBGA(9x11) |
56200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市宏德伟创科技有限公司1年
留言
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NUMBGA |
8000 |
23+ |
原装正品 |
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STMicroelectronics |
1 |
2022+ |
全新原装 货期两周 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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Numonyx-ADIVISIONOFMICROICFLASH1GBIT63VFBGA |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
NAND01GW3B2BZA6E采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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NAND01GW3B2BZA6E资讯
NAND01GW3B2BZA6E 深圳市森润电子有限公司
深圳森润电子有限公司创立于2002年,是专业的世界名牌IC、二三极管经销商,主要销售世界各国品牌元器件如：FSC、NS、HIT、TOS、MAX、AD、HMC、MIC、THINK、INTEL等国外品牌，从民用、工业级、到军品遍及航空、航天、船舶、仪表等众多领域。 本公司为全国各地工厂和经销商提供
NAND01GW3B2BZA6E中文资料Alldatasheet PDF
更多NAND01GW3B2BZA6E功能描述:闪存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
产品属性
- 产品编号：
NAND01GW3B2BZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
30ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
