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MXUPTB33e3中文资料ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage Suppressor数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
MXUPTB33e3 |
| 参数属性 | MXUPTB33e3 封装/外壳为DO-216AA；包装为散装；类别为电路保护的TVS-二极管；MXUPTB33e3应用范围：通用；产品描述：TVS DIODE |
| 功能描述 | ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage Suppressor |
| 封装外壳 | DO-216AA |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
| 人工找货 | MXUPTB33e3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MXUPTB33e3规格书详情
简介
MXUPTB33e3属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的MXUPTB33e3TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件，可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管（只能单向导电的元器件）进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor（瞬态电压抑制/抑制器）的首字母缩写。类型包括转向（轨至轨）或齐纳，具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。
技术参数
更多- 产品编号：
MXUPTB33E3
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装：
散装
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
33V
- 电压 - 击穿（最小值）：
36.8V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
56.7V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2.65A
- 功率 - 峰值脉冲：
1000W（1kW）
- 电源线路保护：
无
- 应用：
通用
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-216AA
- 供应商器件封装：
Powermite 1（DO216-AA）
- 描述：
TVS DIODE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
DO216AA |
7350 |
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询价 | ||
MX |
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TSOP32 |
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MICROCHIP |
24+ |
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TSOP32 |
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