MXD1210中文资料非易失RAM控制器数据手册ADI规格书

描述 Description

MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS电路，可将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。它还会持续监控电源，以在RAM的电源处于边际（超出容限）条件时提供RAM写保护。当电源开始出现故障时，RAM受到写保护，并且器件切换到电池备用模式。

 

特性 Features

• 备用电池

• 存储器写保护

• 工作模式静态电流：230µA

• 备用模式静态电流：2nA

• 电池保鲜密封

• 可选冗余电池

• VCC 电源开关具有低正向压降

• 5%或10%电源故障检测选项

• 在上电期间测试电池状况

• 采用8引脚SO封装

应用 Application

• µP控制系统
• 计算机：台式机、工作站和服务器
• 嵌入式系统

简介

MXD1210属于集成电路（IC）的控制器。由制造生产的MXD1210控制器该系列产品主要用于在采用不同通信协议和/或信令方法的端点之间提供信息连接。示例包括将 I2C 总线连接到 UART，将 USB 连接到 I2C、SPI、以太网或 UART、以太网 MAC 和 PHY 等的器件。此外，还包括用于通过为点对点通信设计的接口建立多路连接的器件，例如 USB 集线器控制器。