MX29GL128FDT2I-11G集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	MX29GL128FDT2I-11G
参数属性	MX29GL128FDT2I-11G 封装/外壳为56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
功能描述	DATASHEET IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
封装外壳	56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
文件大小	1.20949 Mbytes
页面数量	72 页
生产厂商	MCNIX
中文名称	旺宏电子
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-11 23:00:00
人工找货	MX29GL128FDT2I-11G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

MX29GL128FDT2I-11G规格书详情

MX29GL128FDT2I-11G属于集成电路（IC）的存储器。由旺宏电子股份有限公司制造生产的MX29GL128FDT2I-11G存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
MX29GL128FDT2I-11G
制造商：
Macronix
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
MX29GL
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（16M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
110ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
56-TSOP
描述：
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP

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