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MX25L1606EM2I-12G集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

MX25L1606EM2I-12G
厂商型号

MX25L1606EM2I-12G

参数属性

MX25L1606EM2I-12G 封装/外壳为8-SOIC(0.209",5.30mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 16MBIT SPI 86MHZ 8SOP

功能描述

3V, 16M-BIT [x 1/x 2] CMOS SERIAL FLASH MEMORY
IC FLASH 16MBIT SPI 86MHZ 8SOP

封装外壳

8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)

文件大小

1.89777 Mbytes

页面数量

60

生产厂商

MCNIX

中文名称

​​​​​​​​​​​​旺宏电子

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 22:58:00

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MX25L1606EM2I-12G规格书详情

MX25L1606EM2I-12G属于集成电路(IC)的存储器。由旺宏电子股份有限公司制造生产的MX25L1606EM2I-12G存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

The device feature a serial peripheral interface and software protocol allowing operation on a simple 3-wire bus. The three bus signals are a clock input (SCLK), a serial data input (SI), and a serial data output (SO).

Serial access to the device is enabled by CS# input. When it is in Dual Output read mode, the SI and SO pins become SIO0 and SIO1 pins for data output. The device provides sequential read operation on whole chip. After program/erase command is issued, auto program/erase algorithms which program/erase and verify the specified page or sector/block locations will be executed. Program command is executed on byte basis, or page basis, or word basis for erase command is executes on sector, or block, or whole chip basis.

产品属性

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  • 产品编号:

    MX25L1606EM2I-12G

  • 制造商:

    Macronix

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    MX25xxx05/06/08

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    16Mb(2M x 8)

  • 存储器接口:

    SPI

  • 写周期时间 - 字,页:

    50µs,3ms

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP

  • 描述:

    IC FLASH 16MBIT SPI 86MHZ 8SOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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