双NMOS半桥栅极驱动器

双N管半桥栅极驱动器是专门为上、下桥臂开关管都是N沟道VDMOS管的半桥电路结构设计的。下桥臂(低边)直接采用芯片的供电电源驱动，上桥臂(高边)N管采用自举(BOST)工作原理产生超过功率管电源电压的电压，打开高边功率。高边功率管导通期间，高边驱动电路供电完全依赖外置的自举电容上存储的电荷，因此该电容必须合理选择，并且应该首先导通低边功率管，让BOST电容充电，利用PWM信号定期对自举电容进行充电，以此保证高边驱动电压稳定。 ● 峰值驱动能力强，可推动150A MOSFET工作在300KHz；\r\n● 集成自举二极管，节省器件，便于排板；\r\n● 自适应死区保护技术，可根据MOSFET栅极电容大小动态调节内置死区时间，防止高、低边功率管直通；\r\n● 内置逻辑保护，输入同时为高时，输出不响应；\r\n● 针对42V以内应用设计，兼顾高耐压与低成本。;

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