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MX0912B351Y114	文件：82.51 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT439A metal ceramic flange package, with base connected to flange. It is mounted in common base configuration and specified in class C. FEATURES • Interdigitated structure; high emitter efficiency • Diffused emitter bal 文件：82.51 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
MX0912B351Y114	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN microwave power transistor	恩XP	恩XP
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更多MX0912B351Y114供应商更新时间2026-1-29 15:39:00