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MWS11GB11-S1	文件：78.51 Kbytes Page：6 Pages	InGaP HBT Gain Block DESCRIPTION This general purpose amplifier is a low cost, broadband RFIC manufactured with an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process (MOCVD). This RFIC amplifier was designed as an easily cascadable 50 ohm gain block. The device is self-contained with 50 ohm input and output i 文件：78.51 Kbytes 页数：6 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
MWSA0603S-6R8MT	文件：0 bytes Page：0 Pages	0603	Sunlord 顺络上传：北京京北通宇电子元件有限公司	Sunlord

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更多MWS11GB11-S1供应商更新时间2025-11-29 10:08:00