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MW7IC2750NBR1	文件：789.16 Kbytes Page：25 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for WiMAX base station applications with frequencies up to 2700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro, BWA, and OFDM multicarrier Class AB and Class C amplifier applications. • Typical WiMAX Performance: VDD = 28 Vol 文件：789.16 Kbytes 页数：25 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MW7IC2750NBR1	文件：881.34 Kbytes Page：25 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for WiMAX base station applications with frequencies up to 2700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro, BWA, and OFDM multicarrier Class AB and Class C amplifier applications. • Typical WiMAX Performance: VDD = 28 Vol 文件：881.34 Kbytes 页数：25 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MW7IC2750NBR1	文件：898.71 Kbytes Page：25 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：898.71 Kbytes 页数：25 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MW7IC2750NBR1	文件：1.09391 Mbytes Page：25 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier Capable of Handling 10:1 VSWR 文件：1.09391 Mbytes 页数：25 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MW7IC2750NBR1	文件：1.15527 Mbytes Page：24 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：1.15527 Mbytes 页数：24 Pages	恩XP	恩XP

详细参数

型号：
MW7IC2750NBR1
功能描述：
射频放大器 HV7 2700MHZ TO272WB14
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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