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MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1-2000MHz,4W,28VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforClassAorClassABbasestationapplicationswithfrequenciesupto2000MHz.Suitableforanaloganddigitalmodulationandmulticarrieramplifierapplications. •TypicalTwo-TonePerformance@1960MHz,28Volts,IDQ=50mA

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飞思卡尔

freescale

MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔

freescale

MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MW6S004NT1

包装:散装 封装/外壳:PLD-1.5 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MW6S004NT1_07

RF Power Field Effect Transistor

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飞思卡尔

freescale

产品属性

  • 产品编号:

    MW6S004NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    1.96GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 输出:

    4W

  • 封装/外壳:

    PLD-1.5

  • 供应商器件封装:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FREESCAL
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PLD-1.5
6000
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更多MW6S004NT1供应商 更新时间2024-4-25 16:11:00