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MW6S004NT1	文件：527.99 Kbytes Page：12 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 1-2000 MHz, 4 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 2000 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications. • Typical Two-Tone Performance @ 1960 MHz, 28 Volts, IDQ = 50 mA 文件：527.99 Kbytes 页数：12 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MW6S004NT1	文件：496.37 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：496.37 Kbytes 页数：13 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MW6S004NT1	文件：550.65 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：550.65 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
MW6S004NT1_07	文件：496.37 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistor 文件：496.37 Kbytes 页数：13 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE

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