RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件：1.22311 Mbytes 页数：28 Pages

恩XP

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件：1.22311 Mbytes 页数：28 Pages

恩XP

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件：1.11794 Mbytes 页数：28 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件：1.12317 Mbytes 页数：28 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件：1.12317 Mbytes 页数：28 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

1805-1990 MHz，15 W，26 V GSM/GSM EDGE，CDMA LDMOS宽带射频集成功率放大器

MW6IC2015NBR1和MW6IC2015GNBR1宽带集成电路专为基站应用而设计。这些器件采用恩XP最新的高压(26至32 V) LDMOS IC技术，并集成了一个多级结构。它们采用宽带片上设计，适用于1805至1990 MHz的频率范围。其线性性能涵盖所有蜂窝应用调制格式：GSM、GSM EDGE、PHS、TDMA、CDMA、W-CDMA和TD-SCDMA。 最终应用 典型双频性能：VDD = 26 V，IDQ1 = 100 mA，IDQ2 = 170 mA，输出功率 = 15 W PEP，f = 1930 MHz 功率增益：26 dB 功率附加效率：28% IMD：–30 dBc \n驱动器应用 典型GSM EDGE性能：VDD = 26 V，IDQ1 = 130 mA，IDQ2 = 170 mA，平均输出功率 = 3 W，全频段(1805–1880 MHz或1930–1990 MHz) 功率增益：27 dB 功率附加效率：19% 400 kHz偏移时，频谱增生 = –69 dBc 600 kHz偏移时，频谱增生 = –78 dB;

恩XP