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PG5010R	文件：137 Kbytes Page：2 Pages	5.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
PR5010	文件：2.93272 Mbytes Page：7 Pages	2compactSiliconpnJunctionswithacommonCathode	PREMAPREMA Semiconductor. 普芮玛普芮玛半导体公司	PREMA
QL5010	文件：212.32 Kbytes Page：2 Pages	ASEMIBridgeRectifier haracteristic ●Lowforwardpressuredrop ●Insulationvoltage2000V~ ●Smallsize,lightweight ●Smallthermalresistance,highthermalconductivity,lowtemperaturerise ●ULCertificationnumberE304417 Application ●PowersupplyforDCequipment ●PWMconverterinputrectifier ●DCmotor	ASEMIASEMI TECHNOLOGY., LTD 强元芯电子强元芯电子（广东）有限公司	ASEMI
RA5010	文件：231.34 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE FEATURES .Highsurgecapability .Highcurrentcapability .Lowleakage Hightemperaturesolderingguaranteed：250℃for10 seconds	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
RAS5010	文件：231.34 Kbytes Page：2 Pages	AUTOMOTIVEBUTTONDIODE FEATURES .Highsurgecapability .Highcurrentcapability .Lowleakage Hightemperaturesolderingguaranteed：250℃for10 seconds	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
RBV5010	文件：40.93 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV5010	文件：41.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000VoltsIo:50Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Highcasedielectricstrengthof2000VDC *Idealforprintedcirc	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
RBV5010	文件：51.25 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV5010	文件：148.22 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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详细参数

型号：
MVKHF5010P
制造商：
MMD
制造商全称：
MMD Components
功能描述：
Surface Mount Package

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MVKHF5010P供应商更新时间2025-5-25 9:20:00

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