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MVGSF1N02LT1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

文件:476.66 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MVGSF1N02LT1G

Power MOSFET

文件:160.41 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

LMGSF1N02LT1

Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts

文件:131.81 Kbytes 页数:4 Pages

LRC

乐山无线电

MGSF1N02LT1

Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23

文件:63.29 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MGSF1N02LT1

Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts

750 mAMPS 20 VOLTS RDS(on) = 90 mΩ These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc−dc converters and power management in portabl

文件:76.02 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MVGSF1N02LT1G

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
25+
SOT-23
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更多MVGSF1N02LT1G供应商 更新时间2025-10-13 17:23:00