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MVGSF1N02LT1G	文件：476.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MVGSF1N02LT1G	文件：160.41 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MGSF1N02LT1	文件：76.02 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET750mAmps,20Volts 750mAMPS 20VOLTS RDS(on)=90mΩ TheseminiaturesurfacemountMOSFETslowRDS(on)assureminimalpowerlossandconserveenergy,makingthesedevicesidealforuseinspacesensitivepowermanagementcircuitry.Typicalapplicationsaredc−dcconvertersandpowermanagementinportabl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGSF1N02LT1	文件：187.8 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODETMOSMOSFET PartoftheGreenLinePortfolioofdeviceswithenergy–conservingtraits.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeMotorola’sHighCellDensity,HDTMOSprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinspacesensitivepowermanagementc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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详细参数

型号：
MVGSF1N02LT1G
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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