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BC807	文件：481.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE45Volts POWER225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •PNPepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=500mA •Pbfreeproductareavailable:99Snabovecanmeet RoHSenvironmentsubstancedirectiverequest MECHANICALDATA Case:SOT-2	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807	文件：265.21 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages •ComplementaryPairwithBC817	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC807	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Generaldescription PNPgeneral-purposetransistors. Features ■Highcurrent ■Lowvoltage Applications ■General-purposeswitchingandamplification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC807	文件：201.33 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC807	文件：111.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC807	文件：274.99 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ·Ldeallysuitedforautomaticinsertion ·epitaxialplanardieconstruction ·complementaryNPNtypeavailable(BC817)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC807_SER	文件：310.47 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807A	文件：40.86 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ·ComplementarytoBC817A.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC807A	文件：39.82 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors Features ForgeneralAFapplications. Highcollectorcurrent. Highcurrentgain. Lowcollector-emittersaturationvoltage.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC807A	文件：370.39 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC807-AU	文件：298.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC807B	文件：2.22988 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
BC807DS	文件：130.02 Kbytes Page：7 Pages	PNPgeneralpurposedoubletransistor DESCRIPTION PNPtransistorpairinaSOT457(SC-74)plasticpackage. FEATURES •Highcurrent(500mA) •600mWtotalpowerdissipation •ReplacestwoSOT23packagedtransistorsonsamePCBarea. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Push-pullamplifiers •Multi-ph	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC807DS	文件：60.5 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposedoubletransistor FEATURES •Highcurrent(500mA) •600mWtotalpowerdissipation •ReplacestwoSOT23packagedtransistorsonsamePCBarea. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Push-pullamplifiers •Multi-phasesteppermotordrivers. DESCRIPTION PNPtransi	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC807DS	文件：201.56 Kbytes Page：8 Pages	PNP/PNPgeneralpurposedoubletransistors Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807F	文件：274.57 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages •ComplementaryPairwithBC817F	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC807F	文件：274.57 Kbytes Page：4 Pages	Highcurrentapplication	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
BC807F	文件：82.32 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconTransistor(HighcurrentapplicationSwitchingapplication) Descriptions •Highcurrentapplication •Switchingapplication Features •SuitableforAF-Driverstageandlowpoweroutputstages •ComplementaryPairwithBC817F	AUK AUK	AUK
BC807K	文件：349.09 Kbytes Page：24 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807K	文件：348.49 Kbytes Page：24 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多MVD-807供应商更新时间2024-6-19 14:00:00

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