MV32006中文资料Varactors (Packaged and Die form)数据手册Microchip规格书

厂商型号 |
MV32006 |
参数属性 | MV32006 封装/外壳为2-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:GAAS TVAR HERMETIC MICROSTRIP |
功能描述 | Varactors (Packaged and Die form) |
封装外壳 | 2-SMD,扁平引线 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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MV32006规格书详情
描述 Description
Microsemi's GaAs hyperabrupt junction varactor diodes are fabricated from epitaxial layers grown at Microsemi by the Chemical Vapor Deposition technique. The layers are processed at using proprietary techniques resulting in varactors with constant gamma , high Q factor and repeatable tuning curves. These varactors are available in a variety of microwave ceramic packages or bondable chips for operation from UHF to millimeter wave frequencies.
简介
MV32006属于分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)。由制造生产的MV32006二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。
技术参数
更多- 产品编号:
MV32006-129A
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
- 包装:
托盘
- 不同 Vr、F 时电容:
2.2pF @ 4V,1MHz
- 电容比条件:
C2/C20
- 二极管类型:
单路
- 不同 Vr、F 时 Q 值:
3000 @ 4V,50MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
2-SMD,扁平引线
- 描述:
GAAS TVAR HERMETIC MICROSTRIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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