首页>MV32006>规格书详情

MV32006中文资料Varactors (Packaged and Die form)数据手册Microchip规格书

PDF无图
厂商型号

MV32006

参数属性

MV32006 封装/外壳为2-SMD,扁平引线;包装为托盘;类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:GAAS TVAR HERMETIC MICROSTRIP

功能描述

Varactors (Packaged and Die form)
GAAS TVAR HERMETIC MICROSTRIP

封装外壳

2-SMD,扁平引线

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-22 23:01:00

人工找货

MV32006价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MV32006规格书详情

描述 Description

Microsemi's GaAs hyperabrupt junction varactor diodes are fabricated from epitaxial layers grown at Microsemi by the Chemical Vapor Deposition technique. The layers are processed at using proprietary techniques resulting in varactors with constant gamma , high Q factor and repeatable tuning curves. These varactors are available in a variety of microwave ceramic packages or bondable chips for operation from UHF to millimeter wave frequencies.

简介

MV32006属于分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)。由制造生产的MV32006二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MV32006-129A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)

  • 包装:

    托盘

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2.2pF @ 4V,1MHz

  • 电容比条件:

    C2/C20

  • 二极管类型:

    单路

  • 不同 Vr、F 时 Q 值:

    3000 @ 4V,50MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    2-SMD,扁平引线

  • 描述:

    GAAS TVAR HERMETIC MICROSTRIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI/德州仪器
24+
NA/
7874
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
TI(德州仪器)
24+
NA/
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
TI/德州仪器
24+
TSSOP
8540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
询价
TI
SSOP
9
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
TI
2025+
TSSOP
3720
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
TI
20+
TSSOP14
2960
诚信交易大量库存现货
询价
TI/德州仪器
22+
TSSOP
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
询价
TI
24+
TSSOP
6980
原装现货,可开13%税票
询价
TI
25+23+
TSSOP
42046
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
TI
25+
TSSOP
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
询价