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BC858ARF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
BC858A-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MZ858	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NSC858	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858D	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858D/A+	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858E	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858E/A+	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858N	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858N/A+	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858V	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NSC858V/A+	文件：683.58 Kbytes Page：19 Pages	NSC858UniversalAsynchronousReceiver/Transmitter	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
NTE858M	文件：28.16 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitDual,Low-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE858MandNTE858SMaredual,low–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlo	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
NTE858SM	文件：28.16 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitDual,Low-NoiseJFET-InputOperationalAmplifier Description: TheNTE858MandNTE858SMaredual,low–noiseJFETinputoperationalamplifierscombiningtwostate–of–the–artlineartechnologiesonasinglemonolithicintegratedcircuit.EachinternallycompensatedoperationalamplifierhaswellmatchedhighvoltageJFETinputdevicesforlo	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
OPA858	文件：3.21369 Mbytes Page：33 Pages	OPA8561.1-GHzUnity-GainBandwidth,0.9nV/?숰z,BipolarInputAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA858	文件：1.55565 Mbytes Page：28 Pages	5.5-GHzGainBandwidthProductDecompensated,FETInputAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA858	文件：3.19632 Mbytes Page：37 Pages	OPA858-Q15.5-GHzGainBandwidthProduct,Gainof7-V/VStable,FETInputAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA858	文件：1.74957 Mbytes Page：25 Pages	OPA817800-MHz,High-Precision,Unity-GainStable,FET-InputOperationalAmplifier 1Features •Widebandwidth: –Gain-bandwidthproduct:390MHz –Bandwidth(G=1V/V):800MHz –Large-signalbandwidth(2VPP):245MHz –Slewrate:970V/μs •Highprecision: –Inputoffsetvoltage:250μV(maximum) –Inputoffsetvoltagedrift:4μV/°C(maximum) •Inputvoltagenoise:	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA858	文件：2.35393 Mbytes Page：30 Pages	OPA817800-MHz,High-Precision,Unity-GainStable,FET-InputOperationalAmplifier 1Features •Widebandwidth: –Gain-bandwidthproduct:400MHz –Bandwidth(G=1V/V):800MHz –Large-signalbandwidth(2VPP):250MHz –Slewrate:1000V/μs •Highprecision: –Inputoffsetvoltage:250μV(maximum) –Inputoffsetvoltagedrift:3.5μV/°C(maximum) •Inputvoltagenoi	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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