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MUR828	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR828	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR828M2	文件：49.21 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MZ828	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE828	文件：21.64 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitAudioPowerAmp,1.5W Description: TheNTE828isanaudioamplifierina14–LeadDIPtypepackagedesignedforuseinmediumpowerconsumerapplications.Thegainisinternallysetto20tokeepexternalpartcountlow,buttheadditionofanexternalresistorandcapacitorbetweenPin2andPin6willincreasethegain	NTE NTE Electronics	NTE
OPA828	文件：370.8 Kbytes Page：22 Pages	Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,50-MHz,36-VJFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA828	文件：2.34601 Mbytes Page：43 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-VJFET-Input,OperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent:1pA •Inputoffsetvoltage:50μV •Inputoffsetdrift:0.45μV/°C •MUX-friendlyinputs •Gainbandwidth:45MHz •Slewrate:150V/μs •14-bitse	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA828	文件：3.10746 Mbytes Page：47 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-V,JFET-InputOperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent: –0.1pA(DGN) –1pA(D) •Inputoffsetvoltage: –25μV(DGN) –50μV(D) •Inputoffsetdrift: –0.2μV/°C(DGN) –0.45μV/°C(D) •MUX-friend	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA828ID	文件：370.8 Kbytes Page：22 Pages	Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,50-MHz,36-VJFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA828ID	文件：2.34601 Mbytes Page：43 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-VJFET-Input,OperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent:1pA •Inputoffsetvoltage:50μV •Inputoffsetdrift:0.45μV/°C •MUX-friendlyinputs •Gainbandwidth:45MHz •Slewrate:150V/μs •14-bitse	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MUR830		24+		20000		询价
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更多MUR828供应商更新时间2025-5-29 10:20:00

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