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MUR8100E数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

MUR8100E

参数属性

MUR8100E 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2

功能描述

功率整流器,超快速恢复,开关模式,8 A,1000 V
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2

封装外壳

TO-220-2

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:39:00

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MUR8100E规格书详情

描述 Description

Ultrafast \"E\" Series with High Reverse Energy Capability. . . designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes, these state-of-the-art devices have the following features:

特性 Features

• 20 mjoules Avalanche Energy Guaranteed
• Excellent Protection Against Voltage Transients in Switching Inductive Load Circuits
• Ultrafast 75 Nanosecond Recovery Time
• 175°C Operating Junction Temperature
• Epoxy Meets UL94, VO @ 1/8\"
• Low Forward Voltage
• Low Leakage Current
• High Temperature Glass Passivated Junction
• Reverse Voltage to 1000 VoltsMechanical Characteristics:
• Weight: 1.9 grams (approximately)
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable
• Lead Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds
• Marking: U880E, U8100E

简介

MUR8100E属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的MUR8100E二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MUR8100E

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Type

    :Ultrafast

  • IO(rec) Max (A)

    :8

  • trr Max (ns)

    :75

  • VRRM Max (V)

    :1000

  • VFM Max (V)

    :1.8

  • IFSM Max (A)

    :100

  • IR Max (mA)

    :0.5

  • Package Type

    :TO-220-2

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