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PMEG6030EVP-Q	文件：259.61 Kbytes Page：13 Pages	60V,3ASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A •Reversevoltage:VR≤6	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
R6030ENX	文件：2.41181 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6030ENX	文件：296.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6030ENZ	文件：945.85 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6030ENZ	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6030JNZ	文件：2.65743 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V30APowerMOSFET Features 1)Fastreverserecoverytime(trr) 2)Lowon-resistance 3)Fastswitchingspeed 4)Drivecircuitscanbesimple 5)Pb-freeplating;RoHScompliant Application Switchingapplications	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6030KNX	文件：2.2318 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V30APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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