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MUR4080FCT	文件：362.39 Kbytes Page：2 Pages	40.0 Ampere Insulated Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
4080B	文件：375.83 Kbytes Page：6 Pages	14-bit,200MSa/s,16Mptsarbitrarywaveformgenerator	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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ADAM-4080	文件：706.57 Kbytes Page：1 Pages	16-chDigitalInputModule	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技	ADVANTECH
ADAM-4080D	文件：106.33 Kbytes Page：1 Pages	2-chCounter/FrequencyModules(with7-segmentLEDDisplay)	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技	ADVANTECH
AN4080	文件：574.55 Kbytes Page：35 Pages	Thisapplicationnoteisintendedforsystemdesigners	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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APT4080BN	文件：345.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4080BNR	文件：312.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4080CN	文件：297.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT4080GN	文件：297.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C4080	文件：73.5 Kbytes Page：1 Pages	6C227/302C1816/30PVCPVCSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CA4080	文件：98.64 Kbytes Page：3 Pages	WirewoundResistors,CommercialPower,AxialLead FEATURES •Highperformanceforlowcost •Autoinsertable •CA0001,CA0002andCA5000modelsare suppliedwithahightemperaturesilicone coatingforadditionalenvironmentalprotection •Leadformingavailable •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleasesee www.visha	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DPB4080	文件：1.35042 Mbytes Page：20 Pages	100MHz,200MHzbandwidthmodels	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
EE-SX4080	文件：229.2 Kbytes Page：4 Pages	Photomicrosensor(Transmissive)	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
EGE4080FFG	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
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