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MUR3060PTD	文件：724.9 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereDualCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PTD	文件：721.51 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ◇Dualrectifierconstruction,positivecenter-tap ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V0 ◇Glasspassivatedchipjunctions ◇Superfastrecoverytime,highvoltage ◇Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ◇Lowthermalresistance ◇	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PTG	文件：119.03 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR3060PTG	文件：474.29 Kbytes Page：7 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS30AMPERES,200??00VOLTS Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •Ultrafast35and60NanosecondRecoveryTime •175°COperatingJunctionTemperature •HighVoltageCapabilityto600V •LowForwardDrop •LowLeakageSpec	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR3060PTG	文件：474.58 Kbytes Page：7 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS30AMPERES,200??00VOLTS Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitchingpowersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •Ultrafast35and60NanosecondRecoveryTime •175°COperatingJunctionTemperature •HighVoltageCapabilityto600V •LowForwardDrop •LowLeakageSpec	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MUR3060PTG	文件：205.47 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modePowerRectifiers Thesestateïofïtheïartdevicesaredesignedforuseinswitching powersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features xUltrafast35and60NanosecondRecoveryTime x175qCOperatingJunctionTemperature xHighVoltageCapabilityto600V xLowForwardDrop xLowLeakag	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MUR3060PTR	文件：720.02 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereDualCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PTR	文件：721.51 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ◇Dualrectifierconstruction,positivecenter-tap ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V0 ◇Glasspassivatedchipjunctions ◇Superfastrecoverytime,highvoltage ◇Lowforwardvoltage,highcurrentcapability ◇Lowthermalresistance ◇	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PTR	文件：1.04327 Mbytes Page：3 Pages	30.0AmpereHeatsinkDualCommonAnodeUltraFastRecoveryHalfBridgeRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR3060PTR	文件：429.1 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoveryEpiDiodes Features Highfrequencyoperation Highsurgeforwardcurrentcapability Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability Solderdip275℃max.7s,perJESD22-B106	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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