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MUR30120FCR	文件：306.34 Kbytes Page：2 Pages	30.0 Ampere Insulated Dual Doubler Polarity Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR30120FCT	文件：356.52 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR30120FCT	文件：458.83 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedDualCommonCathodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR30120FCTR	文件：264.3 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereInsulatedDualCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR30120P	文件：316.11 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryRectifier FEATURES ·UltrafastRecoveryTime ·LowForwardVoltage ·LowLeakageCurrent ·150℃OperatingJunctionTemperature ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseinswitchingpowersupplies,invertersand asfreewheelingd	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MUR30120P	文件：1.08342 Mbytes Page：4 Pages	Ultra-FastRecoveryDiodes30AFREDPt Features ●AdoptFREDchip ●LowforwardVoltagedrop ●Fastreverserecoverytime ●Highfrequencyoperation ●Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance ●Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Typical	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MUR30120P	文件：2.17432 Mbytes Page：3 Pages	Ultra-FastRecoveryRecifierDiodesMUR30120P FEATURES Highfrequencyoperation Highsurgeforwardcurrentcapability Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MUR30120PA	文件：284.34 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereHeatsinkDualCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR30120PL	文件：286.85 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereHeatsinkDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR30120PR	文件：292.61 Kbytes Page：2 Pages	30.0AmpereHeatsinkDualDoublerPolarityUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

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