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MUR2065C	文件：259.04 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
NJM2065	文件：132.77 Kbytes Page：3 Pages	DOLBYB-CTYPENOISEREDUCTIONPROCESSOR?	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM2065A	文件：132.77 Kbytes Page：3 Pages	DOLBYB-CTYPENOISEREDUCTIONPROCESSOR?	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM2065AD	文件：132.77 Kbytes Page：3 Pages	DOLBYB-CTYPENOISEREDUCTIONPROCESSOR?	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJM2065AM	文件：132.77 Kbytes Page：3 Pages	DOLBYB-CTYPENOISEREDUCTIONPROCESSOR?	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTE2065	文件：32.11 Kbytes Page：1 Pages	MISCELLAMEOUSINTEGRATEDCIRCUITS [NTE-Electronic]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
P2065WTF	文件：202.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelHighVoltageModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PCDH2065CCGB	文件：431.21 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDH2065CCGC	文件：426.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability LowSwitchingLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard Application PFC,UPS,PV	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDP2065GB	文件：332.65 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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