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MUR20120FCA	文件：356.46 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Insulated Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Lowforwardvoltagedrop ♦Highcurrentcapability ♦Lowreverseleakagecurrent ♦Highsurgecurrentcapabilit Application ♦AutomotiveInvertersandSolarInverters ♦PlatingPowerSupply,SMPSandUPS ♦CarAudioAmplifiersandSoundDevic	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MUR20120FCA	文件：302.44 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Insulated Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
AOK20120XSD	文件：884.99 Kbytes Page：6 Pages	1200VαSiCSiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features •ProprietaryαSiCSchottkyBarrierDiodetechnology •Negligiblereverserecoverycurrent •Maximumoperatingjunctiontemperatureof175°C •Improvedswitchinglossesvs.Sibipolardiodes •Positivetemperaturecoefficientforeaseofparalleling Applications RenewableIndustr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CBD20120LCT	文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120UFCT	文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VCT	文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VDC	文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20120VFCT	文件：87.17 Kbytes Page：4 Pages	Ultralowforwardvoltagedrop,lowpowerloss	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CDBHA20120-HF	文件：475.86 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers Features -Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. -Highsurgecapability. -Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds. -Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBKA20120L-HF	文件：486.97 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSchottkyRectifiers Features -Excellenthightemperaturestability. -Soft,fastswitchingcapability. -Patentedsuperbarrierrectifiertechnology. -Ultralowforwardvoltagedrop.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CMF20120D	文件：2.3448 Mbytes Page：13 Pages	SiliconCarbidePowerMOSFET Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CS20120B	文件：340.44 Kbytes Page：4 Pages	CURRENTSENSOR	CUI CUI Inc.	CUI
CSD20120	文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CSD20120D	文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DSTF20120C	文件：700.23 Kbytes Page：3 Pages	Highfrequencyoperation	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
DSTF20120CR	文件：690.4 Kbytes Page：3 Pages	Highfrequencyoperation	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
FFSB20120A	文件：185.3 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH20120A	文件：332.85 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,20A,1200V,D1,TO-247-2L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH20120A	文件：683.57 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP20120A	文件：304.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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无锡固电半导体股份有限公司	MUR20120PT	isc	2024	TO-3PN	5550	国产品牌isc,可替代原装	询价
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更多MUR20120FCA供应商更新时间2024-4-30 8:27:00

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