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MURS160A	文件：133.91 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MURS160A	文件：686.34 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountRectifiers Features Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0 EasilycleanedwithAlcohol,Isopropanol andsimilarsolvents	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MURS160AFG	文件：4.19259 Mbytes Page：3 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
MURS160AG	文件：3.07679 Mbytes Page：2 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
MURS160B	文件：397.55 Kbytes Page：10 Pages	Ultrafastpowerdiode	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
MURS160B	文件：2.69667 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSuperFastRecoveryRectifier Features Lowprofilepackage Idealforautomatedplacement Glasspassivatedchipjunction Highforwardsurgecapability SuperFastreverserecoverytime MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MURS160-BS	文件：63.99 Kbytes Page：7 Pages	ChipUltraFastRectifiers 1.0ASurfaceMountUltraFastRectifiers-400V-600V Features •Fastswitchingspeed •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion •Lowpowerloss,highefficiency •Highforwardsurgecurrentcapabi	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
MURS160DICT-ND	文件：331.87 Kbytes Page：21 Pages	IRPLLNR5WideRangeInputLinearFluorescentBallast	IRF International Rectifier	IRF
MURS160F	文件：232.97 Kbytes Page：3 Pages	Super-FastRectifiers	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MURS160J	文件：397.49 Kbytes Page：10 Pages	Ultrafastpowerdiode	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN

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产品属性

产品编号：
MUR160-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
20pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

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