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MURS115	文件：367.51 Kbytes Page：2 Pages	1A150VFastrecoverydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MURS115	文件：367.51 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTULTRAFASTPOWERRECTIFIERSDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MURS115	文件：131.08 Kbytes Page：2 Pages	1AULTRAFASTRECOVERYSURFACEMOUNTRECTIFIER FEATURES ●LOWPROFILEPACKAGE ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY94V-0 ●IDEALFORSURFACEMOUNTEDAPPLICATION ●GLASSPASSIVATEDCHIPJUNCTION ●BUILT-INSTRAINRELIEFDESIGN ●ULTRAFASTRECOVERYTIMEFORHIGHEFFICIENT ●HIGHTEMPERATURESOLDERING:250°C/10SECONDSATTERMIN	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
MURS115	文件：488.33 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTULTRAFASTRECTIFIER FEATURES LOWPROFILEPACKAGE PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY94V-0 IDEALFORSURFACEMOUNTEDAPPLICATION GLASSPASSIVATEDCHIPJUNCTION BUILT-INSTRAINRELIEFDESIGN ULTRAFASTRECOVERYTIMEFORHIGHEFFICIENT HIGHTEMPERATURESOLDERING:250°C/10SECONDSAT TERMINALS	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MURS115AFG	文件：4.19259 Mbytes Page：3 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
MURS115AG	文件：3.07679 Mbytes Page：2 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
MURS115-LFR	文件：131.21 Kbytes Page：2 Pages	1AULTRAFASTRECOVERYSURFACEMOUNTRECTIFIER FEATURES ●LOWPROFILEPACKAGE ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY94V-0 ●IDEALFORSURFACEMOUNTEDAPPLICATION ●GLASSPASSIVATEDCHIPJUNCTION ●BUILT-INSTRAINRELIEFDESIGN ●ULTRAFASTRECOVERYTIMEFORHIGHEFFICIENT ●HIGHTEMPERATURESOLDERING:250°C/10SECONDSATTERMINA	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
MURS115MG	文件：3.00861 Mbytes Page：3 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
MVAM115	文件：23.33 Kbytes Page：1 Pages	SILICONVARACTORDIODE DESCRIPTION: TheASIMVAM115isaSiliconTuningVaractorDiode. FEATURESINCLUDE: •15:1MinimumTuningRange •Q-150Minimum	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MVAM115	文件：91.67 Kbytes Page：1 Pages	SILICONTUNINGDIODES SILICONTUNINGDIODES ...designedforelectronictuningofAMreceiversandhighcapacitance,hightuningratioapplications. •HighCapacitanceRatio—CR=15(Min). MVAM108,115,125 •GuaranteedDiodeCapacitance—Ct-440pF(Min)— 560pF(MnxVR-1.0VDc,f=1.0MHz,MVAIVI108,MVA	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

产品属性

产品编号：
MUR115GP-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GPP SUPER FAST 1A DO-41

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