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MUR10010CT中文资料Diode Switching 100V 100A 3-Pin(3+Tab) Twin Tower数据手册NJS规格书

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厂商型号

MUR10010CT

参数属性

MUR10010CT 封装/外壳为双塔架;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE MODULE 100V 50A 2TOWER

功能描述

Diode Switching 100V 100A 3-Pin(3+Tab) Twin Tower

封装外壳

双塔架

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MUR10010CT

  • 生产厂家

    :NJS

  • Peak Reverse Repetitive Voltage

    :100V

  • Peak Reverse Recovery Time

    :75ns

  • Peak Reverse Current

    :25@50VuA

  • Peak Non-Repetitive Surge Current

    :400A

  • Peak Forward Voltage

    :1.3@50AV

  • Operating Junction Temperature

    :-40 to 175°C

  • Minimum Operating Temperature

    :-40°C

  • Maximum Operating Temperature

    :175°C

  • Maximum Continuous Forward Current

    :100A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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