MUN5235T1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
MUN5235T1 |
| 参数属性 | MUN5235T1 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| 功能描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-13 10:56:00 |
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MUN5235T1规格书详情
简介
MUN5235T1属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的MUN5235T1晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
：MUN5235T1
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：50V
- 电阻器 - 基底（R1）
：2.2 kOhms
- 电阻器 - 发射极基底（R2）
：47 kOhms
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：80 @ 5mA，10V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
：250mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：500nA
- 功率 - 最大值
：202mW
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装
：SC-70-3（SOT323）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
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SC-70-3 |
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SC-70-3 |
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ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
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