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MUN5216T1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

MUN5216T1G
厂商型号

MUN5216T1G

参数属性

MUN5216T1G 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

功能描述

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

230.84 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 8:24:00

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MUN5216T1G规格书详情

MUN5216T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安森美半导体公司制造生产的MUN5216T1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MUN5216T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    160 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON Semiconductor
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
onsemi(安森美)
24+
SC-70-3
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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ON/安森美
23+
SOT-323
89630
当天发货全新原装现货
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ONSEMICONDU
24+
原封装
279000
原装现货假一罚十
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三年内
1983
只做原装正品
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ON/安森美
24+
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LRC/乐山
2021
SOT-323
360000
原装现货
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LRC/乐山
25+
SOT-323
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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LRC/乐山
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SOT-363
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