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MUN5211DW1T1数据手册ONSEMI中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：MUN5211DW1T1
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：50V
- 电阻器 - 基底（R1）
：10 千欧
- 电阻器 - 发射极基底（R2）
：10 千欧
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：35 @ 5mA，10V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
：250mV @ 300µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：500nA
- 频率 - 跃迁
：-
- 功率 - 最大值
：250mW
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装
：SC-88/SC70-6/SOT-363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
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ON |
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SOT363 |
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ON |
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ON/安森美 |
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SOT-363 |
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