订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MUN5113T1G>芯片详情
MUN5113T1G 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:MUN5113T1G品牌:ON/安森美
MUN5113T1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。制造商ON/安森美/onsemi生产封装SC-70SOT-323-3/SC-70,SOT-323的MUN5113T1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
MUN5113T1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 5mA,10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 300µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:
SC-70-3(SOT323)
- 描述:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
供应商
相近型号
- MUN5111DW1T1G
- MUN5135DW1T1G
- MUN3CAD03-SE
- MUN5135T1G
- MUN3CAD01-SC
- MUN5211DW1T1G
- MUN3C1HR6-SB
- MUN5211T1
- MUN24AD03-SM
- MUN5211T1G
- MUN2233T1G
- MUN5212DW1T1
- MUN2233
- MUN5212DW1T1G
- MUN2232T1G
- MUN5212T1
- MUN2231T1
- MUN5212T1G
- MUN2215T1G
- MUN5213DE1T1
- MUN2214T1G
- MUN5213DW1T1G
- MUN2214T1
- MUN5213DW1T3G
- MUN2213T1G
- MUN5213T1
- MUN2211T3G
- MUN5213T1G
- MUN2211T3
- MUN5214DW1T1G
- MUN2211T1G
- MUN5214T1
- MUN2211T1
- MUN5214T1G
- MUN2138T1G
- MUN5215DW1T1G
- MUN2135T1G
- MUN5215T1
- MUN2116T1
- MUN5215T1G
- MUN2114T1G
- MUN5216DW1T1
- MUN2112T1G
- MUN5216DW1T1G
- MUN2111T1G
- MUN5231DW1T1G
- MUN2111T1
- MUN5232DW1T1G
- MUN12AD06-SM
- MUN5232T1G