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MUN5111分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号	MUN5111
参数属性	MUN5111 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
功能描述	Bias Resistor Transistor PNP Silicon
封装外壳	SC-70，SOT-323
文件大小	112.42 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	WEITRON
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2026-2-4 18:00:00
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晶体管资料

型号：
MUN5111
别名：
MUN5111三极管、MUN5111晶体管、MUN5111晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>35
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

MUN5111规格书详情

Dual Bias Resistor Transistor

PNP Silicon

P/b Lead(Pb)-Free

产品属性

产品编号：
MUN5111T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

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